LED照明燈具（燈飾）下一個被爭搶的技術(shù)對于小功率硅襯底LED芯片，封裝時可以少打一根金屬線，電極所占發(fā)光面積更小、可靠性更高，所以其在數(shù)碼、顯示領(lǐng)域等需要密集排列的小LED芯片市場具有比較大的優(yōu)勢，產(chǎn)品已經(jīng)進入大眾汽車等品牌，用于儀表盤的背光。
對于大功率硅襯底LED芯片，單面出光容易控制方向，做出的應(yīng)用產(chǎn)品射程遠、光品質(zhì)好，極為適合需要高品質(zhì)出光的高端照明領(lǐng)域應(yīng)用，在汽車大燈、手機閃光燈、電視背光、高端便攜式照明、高端室內(nèi)照明等大功率LED照明燈具（燈飾）應(yīng)用領(lǐng)域具有性能優(yōu)勢。由于硅襯底LED芯片采用剝離方法徹底消除了發(fā)光薄膜和襯底之間的應(yīng)力，加之垂直結(jié)構(gòu)電流擴散快，單位面積承載電流的能力強，適用于大功率LED照明燈具（燈飾）的應(yīng)用。
緩解應(yīng)力降低位錯密LED芯片硅襯底和其他兩種襯底，碳化硅和藍寶石相比，最大的技術(shù)難點是晶格失配和熱失配。“但這也正是在硅襯底上制作GaNLED對一個技術(shù)人員的吸引力和魅力所在。”陳振博士笑著說。
硅和氮化鎵的晶格失配最大，是碳化硅的幾倍。大的晶格失配會導致氮化鎵材料中出現(xiàn)較高的位錯密度，也正是這個原因使得人們在很長一段時間內(nèi)認為LED芯片硅襯底是一條走不通的技術(shù)路線。
LED照明燈具（燈飾），LED芯片硅襯底和氮化鎵之間有很大的熱失配，這個問題導致在高溫生長時兩者達到一定的匹配，可是降到室溫后，由于兩者的熱膨脹系數(shù)差異很大，會導致龜裂等問題的產(chǎn)生。
